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阻變存儲器技術可在單芯片存1TB數(shù)據(jù)

時間:2013年8月6日

  今天,加州一家技術公司Crossbar宣布研發(fā)出全新電阻式RAM技術,可以在一顆比郵票還小的單芯片中存下1TB的數(shù)據(jù),這意味著未來電子產(chǎn)品的存儲密度將極大地提高,同時RRAM的寫入性能比目前最好的NAND芯片還快上20倍,讀寫時的功率僅為1/20。
  取決于不同的設備,RRAM可以將設備電池壽命延長數(shù)周、數(shù)月甚至數(shù)年,使用壽命也10倍于NAND,可以說是一種完美的高速存儲器。Crossbar還表示,這種存儲器還可以以陣列的方式運行,他們計劃將這項技術授權給其它公司使用,目前30余項專利已經(jīng)被授予。

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