今天，加州一家技術公司Crossbar宣布研發(fā)出全新電阻式RAM技術，可以在一顆比郵票還小的單芯片中存下1TB的數據，這意味著未來電子產品的存儲密度將極大地提高，同時RRAM的寫入性能比目前最好的NAND芯片還快上20倍，讀寫時的功率僅為1/20。
取決于不同的設備，RRAM可以將設備電池壽命延長數周、數月甚至數年，使用壽命也10倍于NAND，可以說是一種完美的高速存儲器。Crossbar還表示，這種存儲器還可以以陣列的方式運行，他們計劃將這項技術授權給其它公司使用，目前30余項專利已經被授予。
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